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型号/品牌/封装

品类/描述

库存

价格(含税)

资料

型号: IXTA80N10T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

2868

5-49

￥16.5438

50-199

￥15.8368

200-499

￥15.4409

500-999

￥15.3419

1000-2499

￥15.2429

2500-4999

￥15.1298

5000-7499

￥15.0591

≥7500

￥14.9884

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型号: IXYN82N120C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

3892

1-9

￥260.4405

10-49

￥253.6464

50-99

￥248.4376

100-199

￥246.6258

200-499

￥245.2670

500-999

￥243.4553

1000-1999

￥242.3229

≥2000

￥241.1906

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型号: IXTP52P10P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: P沟道 100V 52A

2429

5-49

￥31.1688

50-199

￥29.8368

200-499

￥29.0909

500-999

￥28.9044

1000-2499

￥28.7179

2500-4999

￥28.5048

5000-7499

￥28.3716

≥7500

￥28.2384

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型号: IXGK50N60BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264AA

1676

20-49

￥0.0000

50-99

￥0.0000

100-299

￥0.0000

300-499

￥0.0000

500-999

￥0.0000

1000-4999

￥0.0000

5000-9999

￥0.0000

≥10000

￥0.0000

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型号: IXSH24N60BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD

1543

20-49

￥0.0000

50-99

￥0.0000

100-299

￥0.0000

300-499

￥0.0000

500-999

￥0.0000

1000-4999

￥0.0000

5000-9999

￥0.0000

≥10000

￥0.0000

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型号: IXTY8N65X2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）本质整流器二极管低本质栅极电阻低封装电感工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

1763

5-49

￥22.9320

50-199

￥21.9520

200-499

￥21.4032

500-999

￥21.2660

1000-2499

￥21.1288

2500-4999

￥20.9720

5000-7499

￥20.8740

≥7500

￥20.7760

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型号: IXYT80N90C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 900V 165A 830W TO268

3625

1-9

￥85.9050

10-99

￥82.1700

100-249

￥81.4977

250-499

￥80.9748

500-999

￥80.1531

1000-2499

￥79.7796

2500-4999

￥79.2567

≥5000

￥78.8085

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型号: IXGP20N120B3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

8573

1-9

￥49.2148

10-99

￥46.3910

100-249

￥44.2933

250-499

￥43.9706

500-999

￥43.6479

1000-2499

￥43.2848

2500-4999

￥42.9621

≥5000

￥42.7604

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型号: IXGT28N120B

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(2+Tab) TO-268

7472

1-9

￥62.8130

10-99

￥60.0820

100-249

￥59.5904

250-499

￥59.2081

500-999

￥58.6073

1000-2499

￥58.3342

2500-4999

￥57.9518

≥5000

￥57.6241

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型号: IXYH30N120C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

6166

1-9

￥62.5370

10-99

￥59.8180

100-249

￥59.3286

250-499

￥58.9479

500-999

￥58.3497

1000-2499

￥58.0778

2500-4999

￥57.6972

≥5000

￥57.3709

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型号: IXFT66N20Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET N-CH 200V 66A 3Pin(2+Tab) TO-268

6461

1-9

￥50.4470

10-99

￥47.5525

100-249

￥45.4023

250-499

￥45.0715

500-999

￥44.7407

1000-2499

￥44.3686

2500-4999

￥44.0378

≥5000

￥43.8310

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型号: IXTP10P50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: IRLHS6242PbF 系列 p 沟道 500 V 1 Ohm 法兰安装功率 Mosfet - TO-220-3

5309

5-49

￥29.1798

50-199

￥27.9328

200-499

￥27.2345

500-999

￥27.0599

1000-2499

￥26.8853

2500-4999

￥26.6858

5000-7499

￥26.5611

≥7500

￥26.4364

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型号: IXYN100N120C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

7943

1-9

￥293.9515

10-49

￥286.2832

50-99

￥280.4042

100-199

￥278.3593

200-499

￥276.8256

500-999

￥274.7808

1000-1999

￥273.5027

≥2000

￥272.2247

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型号: IXGQ20N120BD1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

8402

1-9

￥47.9338

10-99

￥45.1835

100-249

￥43.1404

250-499

￥42.8261

500-999

￥42.5118

1000-2499

￥42.1582

2500-4999

￥41.8439

≥5000

￥41.6474

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型号: IXXR110N65B4H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT

9231

1-9

￥94.9785

10-99

￥90.8490

100-249

￥90.1057

250-499

￥89.5276

500-999

￥88.6191

1000-2499

￥88.2061

2500-4999

￥87.6280

≥5000

￥87.1325

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型号: IXTH11P50

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

品类: MOS管

描述: IXTH 系列单 P沟道 500 V 750 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD

8302

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型号: IXXN110N65B4H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt 650V 215A 750W Sot227b

8581

1-9

￥218.7070

10-49

￥213.0016

50-99

￥208.6275

100-199

￥207.1060

200-499

￥205.9649

500-999

￥204.4435

1000-1999

￥203.4926

≥2000

￥202.5417

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型号: MDI200-12A4

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Y3-DCB

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

6182

1-9

￥1034.8920

10-49

￥998.5800

50-99

￥994.0410

100-149

￥989.5020

150-249

￥982.2396

250-499

￥975.8850

500-999

￥969.5304

≥1000

￥962.2680

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型号: MDI150-12A4

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Y3-DCB

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB

7474

1-9

￥722.1444

10-49

￥696.8060

50-99

￥693.6387

100-149

￥690.4714

150-249

￥685.4037

250-499

￥680.9695

500-999

￥676.5353

≥1000

￥671.4676

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型号: MDI100-12A3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Y4-M5-7

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7Pin Y4-M5

6209

1-9

￥340.7910

10-49

￥331.9008

50-99

￥325.0850

100-199

￥322.7143

200-499

￥320.9362

500-999

￥318.5655

1000-1999

￥317.0838

≥2000

￥315.6021

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型号: MIAA10WB600TMH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: MiniPack-2

品类: IGBT晶体管

描述: Module Igbt Cbi

4766

1-9

￥272.5040

10-49

￥265.3952

50-99

￥259.9451

100-199

￥258.0494

200-499

￥256.6277

500-999

￥254.7320

1000-1999

￥253.5472

≥2000

￥252.3624

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型号: MID145-12A3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Y4-M5

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

2628

1-9

￥678.0720

10-49

￥654.2800

50-99

￥651.3060

100-149

￥648.3320

150-249

￥643.5736

250-499

￥639.4100

500-999

￥635.2464

≥1000

￥630.4880

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型号: MIEB101W1200EH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E3-Pack

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt Module 1200V 183A Hex

5219

1-9

￥1401.8840

10-24

￥1389.1396

25-49

￥1382.7674

50-99

￥1376.3952

100-149

￥1370.0230

150-249

￥1363.6508

250-499

￥1357.2786

≥500

￥1350.9064

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型号: MIO1500-25E10

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E10

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT MODULE SGL 1500A E10

9000

1-9

￥19471.3200

10-24

￥19294.3080

25-49

￥19205.8020

50-99

￥19117.2960

100-149

￥19028.7900

150-249

￥18940.2840

250-499

￥18851.7780

≥500

￥18763.2720

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型号: MITA30WB600TMH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: MiniPack-2

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt Module Cbi Minipack2

7107

1-9

￥312.0295

10-49

￥303.8896

50-99

￥297.6490

100-199

￥295.4784

200-499

￥293.8504

500-999

￥291.6798

1000-1999

￥290.3231

≥2000

￥288.9665

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型号: MIXA81H1200EH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E3

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt Module 1200V 84A

6219

1-9

￥876.3750

10-49

￥845.6250

50-99

￥841.7813

100-149

￥837.9375

150-249

￥831.7875

250-499

￥826.4063

500-999

￥821.0250

≥1000

￥814.8750

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型号: MIXA151W1200EH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: -

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt Module 1200V 150A Hex

6958

1-9

￥1171.1040

10-24

￥1160.4576

25-49

￥1155.1344

50-99

￥1149.8112

100-149

￥1144.4880

150-249

￥1139.1648

250-499

￥1133.8416

≥500

￥1128.5184

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型号: MIXA450PF1200TSF

品牌: IXYS Semiconductor

封装: MODULE

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

2104

1-9

￥1394.9100

10-24

￥1382.2290

25-49

￥1375.8885

50-99

￥1369.5480

100-149

￥1363.2075

150-249

￥1356.8670

250-499

￥1350.5265

≥500

￥1344.1860

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型号: MIXA40W1200TMH

品牌: IXYS Semiconductor

封装: MiniPack-2

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt Module 1200V 40A

4815

1-9

￥387.7340

10-49

￥377.6192

50-99

￥369.8645

100-199

￥367.1672

200-499

￥365.1443

500-999

￥362.4470

1000-1999

￥360.7612

≥2000

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型号: MMIX1X100N60B3H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: BESOP-24

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 21Pin SMD

7940

1-9

￥218.3275

10-49

￥212.6320

50-99

￥208.2655

100-199

￥206.7467

200-499

￥205.6076

500-999

￥204.0888

1000-1999

￥203.1395

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